26 GHz coplanar SiGe MMICs
26 GHz coplanar SiGe MMICs
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26 GHz 共面 SiGe MMIC
DOI：
10.1109/mwsym.1996.508510
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发表时间：
1996
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
W. Heinrich
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Rheinfelder;K. Strohm;F. Beisswanger;J. Gerdes;F. Schmuckle;J. Luy;W. Heinrich
介绍了SiGe hbt共面mmic的初步研究结果。该电路采用双台面HBT工艺在高电阻率Si衬底上制造。在ka波段，振荡器输出功率为1 dBm，单级放大器增益为4.4 dB。这证明了SiGe晶体管在更高微波范围内的应用潜力。
First results on coplanar MMICs with SiGe HBTs are presented. The circuits are fabricated on high-resistivity Si substrates using a double-mesa HBT process. In the Ka-band, an oscillator output power of 1 dBm and 4.4 dB gain for a one-stage amplifier are achieved. This demonstrates the potential of SiGe transistors for applications in the higher microwave range.