DC and RF Performance of In_<0.1>Ga_<0.9>N/InN High Electron Mobility Transistor
DC and RF Performance of In_<0.1>Ga_<0.9>N/InN High Electron Mobility Transistor
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In_<0.1>Ga_<0.9>N/InN高电子迁移率晶体管的直流和射频性能
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.G.Bhuiyan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takuro Niidome;Atsushi Shiotani;Takeshi Mori;Yoshiki Katayama;A.G.Bhuiyan
