Naoyuki Takahashi: "In Situ observation of Halogen-Transport Atomic Layer Epitaxy of GaAs in Inert carrier Gas System" Japanese Journal of Applied Physics. 32. L1277-L1280 (1993)
Naoyuki Takahashi: "In Situ observation of Halogen-Transport Atomic Layer Epitaxy of GaAs in Inert carrier Gas System" Japanese Journal of Applied Physics. 32. L1277-L1280 (1993)
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Naoyuki Takahashi：“惰性载气系统中 GaAs 卤素传输原子层外延的原位观察”日本应用物理学杂志。
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