Impact of the split-off band on the tunneling current at metal/heavily-doped p-type SiC Schottky interfaces
Impact of the split-off band on the tunneling current at metal/heavily-doped p-type SiC Schottky interfaces
复制标题
分裂能带对金属/重掺杂p型SiC肖特基界面隧道电流的影响
DOI：
10.35848/1882-0786/acc30d
复制
发表时间：
2023
影响因子：
2.3
通讯作者：
Kimoto Tsunenobu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kitawaki Takeaki;Hara Masahiro;Tanaka Hajime;Kaneko Mitsuaki;Kimoto Tsunenobu
