Sensitivity analysis of a technique for the extraction of interface trap density in SiC MOSFETs from subthreshold characteristics
Sensitivity analysis of a technique for the extraction of interface trap density in SiC MOSFETs from subthreshold characteristics
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从亚阈值特性中提取 SiC MOSFET 界面陷阱密度的技术的灵敏度分析
DOI：
10.1109/irps.2014.6860589
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R. Kaplar
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Hughart;J. Flicker;S. Atcitty;M. Marinella;R. Kaplar
一种从亚阈值I - V特性中提取界面陷阱密度（DIT）的方法被用于分析碳化硅金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的数据，该晶体管在175°C下，栅极偏压为 - 20V的条件下应力测试了30分钟。在不知道沟道掺杂情况时，当参考与阈值电压相关的能级时，可以计算出DIT的变化。
A method for extracting interface trap density (DIT) from subthreshold I-V characteristics is used to analyze data on a SiC MOSFET stressed for thirty minutes at 175°C with a gate bias of -20 V. Without knowing the channel doping, the change in DIT can be calculated when referenced to an energy level correlated with the threshold voltage.