Kunihide Tachibana, Hideaki Kamisugi and Takeshi Kawasaki: "Behavior of F Atoms and CFィイD22ィエD2 Radicals in Fluorocarbon Plasmas for SiOィイD22ィエD2/Si Etching"Jpn.J.Appl.Phys.. 38-7B. 4367-4372 (1999)
Kunihide Tachibana, Hideaki Kamisugi and Takeshi Kawasaki: "Behavior of F Atoms and CFィイD22ィエD2 Radicals in Fluorocarbon Plasmas for SiOィイD22ィエD2/Si Etching"Jpn.J.Appl.Phys.. 38-7B. 4367-4372 (1999)
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Kunihide Tachibana、Hideaki Kamisugi 和 Takeshi Kawasaki：“用于 SiO22D2/Si 蚀刻的氟碳等离子体中 F 原子和 CF22D2 自由基的行为”Jpn.J.Appl.Phys.. 38-7B .4367-4372 (1999)
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