Photo-Electrochemical Etching and Porosification of Ⅲ-Nitride Semiconductors
Photo-Electrochemical Etching and Porosification of Ⅲ-Nitride Semiconductors
复制标题
Ⅲ族氮化物半导体的光电化学刻蚀和多孔化
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Toguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Sato;M.Toguchi
