拡張型ランダウ自由エネルギーモデルを用いたナノ磁性体の磁化反転解析とデバイス構造設計
拡張型ランダウ自由エネルギーモデルを用いたナノ磁性体の磁化反転解析とデバイス構造設計
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使用扩展朗道自由能模型进行纳米磁性材料的磁化反转分析和器件结构设计
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
國井創大郎，増澤 賢，A. Foggiatto，三俣千春，小嗣真人
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. T.-K. So;A. I. Shames;D. Terada;T. Genjo;H. Morishita;I. Ohki;T. Ohshima;S. Onoda;H. Takashima;S. Takeuchi;E. Osawa;N. Mizuochi;R. Igarashi;M. Shirakawa;T. F. Segawa;湯川博;國井創大郎，増澤 賢，A. Foggiatto，三俣千春，小嗣真人
