ASET and TID Characterization of a Radiation Hardened Bandgap Voltage Reference in a 28-nm Bulk CMOS Technology
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DOI:
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发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
姚啸虎
中科院分区:
文献类型:
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作者:
陈建军;池雅庆;梁斌;袁珩洲;文溢;邢海源;姚啸虎