再成長ソースを有するアンドーブチャネルInP/InGaAs MOSFETの電流特性
再成長ソースを有するアンドーブチャネルInP/InGaAs MOSFETの電流特性
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具有再生源的无掺杂沟道InP/InGaAs MOSFET的电流特性
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
若林和也
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Akira Tsuchiya;Hidetoshi Onodera;若林和也
