イジング磁性体SmPt2Si2におけるSmイオン部分無秩序形成の可能性
イジング磁性体SmPt2Si2におけるSmイオン部分無秩序形成の可能性
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伊辛磁性材料SmPt2Si2中Sm离子部分无序形成的可能性
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
伏屋健吾
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kengo Fushiya;Tatsuma D. Matsuda;Ryuji Higashinaka;and Yuji Aoki;伏屋健吾
