H.Ishikawa et al.: "Highly c-axis aligned GaN thin film grown on Si using GaP intermediate layer by metalorganic chenical vapor deposition" Proc.of Int.Symp.on Blue Lasers and Light Emitting Diade. 526-529 (1996)
H.Ishikawa et al.: "Highly c-axis aligned GaN thin film grown on Si using GaP intermediate layer by metalorganic chenical vapor deposition" Proc.of Int.Symp.on Blue Lasers and Light Emitting Diade. 526-529 (1996)
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H.Ishikawa 等人：“通过金属有机化学气相沉积使用 GaP 中间层在 Si 上生长高度 c 轴排列的 GaN 薄膜”Proc.of Int.Symp.on 蓝色激光器和发光二极管。
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