HIプラズマ処理によるGe MOS界面特性の改善
HIプラズマ処理によるGe MOS界面特性の改善
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通过HI等离子体处理改善Ge MOS界面特性
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
前田辰郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
張文馨;入沢寿史;石井裕之;前田辰郎
