Evaluation of atomic scale oxygen etching of Si(110) for nanosheet transistor application
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用于纳米片晶体管应用的 Si(110) 原子级氧蚀刻评估
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Endo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Morita;S. Nunomura;T. Irisawa;H. Ota;K. Endo
