Time-domain component analysis of heavy-ion-induced transient currents in fully-depleted SOI MOSFETs
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全耗尽 SOI MOSFET 中重离子感应瞬态电流的时域分量分析
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et. al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D.Kobayashi;et. al.
