Impact of nitridation on the reliability of 4H-SiC(11-20) MOS devices
Impact of nitridation on the reliability of 4H-SiC(11-20) MOS devices
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氮化对4H-SiC(11-20) MOS器件可靠性的影响
DOI：
10.35848/1882-0786/ac5ace
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发表时间：
2022
影响因子：
2.3
通讯作者：
T. Shimura and H. Watanabe
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Nakanuma;T. Kobayashi;T. Hosoi;M. Sometani;M. Okamoto;A. Yoshigoe;T. Shimura and H. Watanabe
