SiO2/Si(001)界面におけるナノスケール誘電特性の第一原理計算
SiO2/Si(001)界面におけるナノスケール誘電特性の第一原理計算
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SiO2/Si(001)界面纳米级介电性能的第一性原理计算
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
名取晃子
中科院分区：
文献类型：
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作者：
涌井貞一;中村淳;名取晃子
