Polarizabilities of SiN (N = 8–75) clusters from molecular beam electric deflection experiments
Polarizabilities of SiN (N = 8–75) clusters from molecular beam electric deflection experiments
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分子束电偏转实验中 SiN (N = 8â75) 团簇的极化率
DOI：
10.1140/epjd/e2012-30467-7
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
R. Schäfer
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. A. Götz;S. Heiles;R. Schäfer
用分子束偏转技术研究了含8~75个原子的中性硅团簇在300K时的极化率。在8到30个原子的范围内，极化率强烈地依赖于尺寸，而对于75个原子的团簇，极化率接近从α-Si的克劳修斯-莫索蒂关系估计的体积值3.71A3。这表明硅团簇在这个范围内的增长模式发生了转变。对于一些团簇，即Si18，我们观察到与体积值相比，极化率显著增加，这可以通过简单的朗之万德拜模型考虑永久偶极矩来解释。
We have studied the polarizabilities of neutral silicon clusters with 8 to 75 atoms at 300 K employing the molecular beam deflection technique. In the range of 8 to 30 atoms the polarizability is strongly size-dependent, whereas for clusters up to 75 atoms polarizability approaches the bulk value of 3.71 Å3, estimated from the Clausius-Mossotti relation forα-Si. This indicates a transition in the growing pattern of silicon clusters in this range. For some clusters, i.e. Si18, we observe a significantly increased polarizability compared to the bulk value, which can be interpreted by taking a permanent dipole moment via a simple Langevin-Debye model into account.
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P. Fuentealba