High Channel Mobility of 4H-SiC MOSFETs Fabricated by Overoxidation of the N-/Al-Coimplanted Surface Layer
High Channel Mobility of 4H-SiC MOSFETs Fabricated by Overoxidation of the N-/Al-Coimplanted Surface Layer
复制标题
通过 N/Al 共注入表面层过氧化制造的 4H-SiC MOSFET 的高沟道迁移率
DOI：
--
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Kimoto
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Reshanov;S. Beljakowa;T. Frank;B. Zippelius;G. Pensl;M. Noborio;T. Kimoto
