Making Through Holes in Si for 3D IC Packaging by Metal-Catalyzed Wet Etching: Progress and Challenges
Making Through Holes in Si for 3D IC Packaging by Metal-Catalyzed Wet Etching: Progress and Challenges
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通过金属催化湿法蚀刻在硅中制作用于 3D IC 封装的通孔：进展与挑战
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
松村道雄
中科院分区：
文献类型：
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作者：
川口遼馬;巽 康司;原田隆史;池田 茂;松村道雄
