MOSFETの寄生容量を鑑みたハイサイドゲートドライバ回路の解析
MOSFETの寄生容量を鑑みたハイサイドゲートドライバ回路の解析
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考虑MOSFET寄生电容的高端栅极驱动电路分析
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
伊藤大輔
中科院分区：
文献类型：
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作者：
後藤裕介;麻原寛之;高坂拓司;伊藤大輔
