Epitaxial Growth of Ge1-xSnx by Reduced Pressure CVD Using SnCl4 and Ge2H6
Epitaxial Growth of Ge1-xSnx by Reduced Pressure CVD Using SnCl4 and Ge2H6
复制标题
使用 SnCl4 和 Ge2H6 通过减压 CVD 外延生长 Ge1-xSnx
DOI：
10.1149/05009.0885ecst
复制
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
S. Mantl
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Wirths;D. Buca;A. Tiedemann;B. Holländer;P. Bernardy;T. Stoica;D. Grützmacher;S. Mantl
通过使用喷头技术的减压化学气相沉积，在低温条件下研究了 Ge 和 GeSn 在 Si(100) 上的外延生长。最重点是 375°C 至 500°C 低温范围内的生长动力学，其特征是表面有限反应。使用 Ge2H6 前驱体测定 H2 载气的低活化能为 0.7 eV，如果使用 N2，则进一步降低至 0.5 eV。使用 Ge2H6 和 SnCl4 作为前驱体，分别在 375°C 和 400°C 的生长温度下获得含 10 at.% 和 6.5 at.% Sn 的 GeSn 层。所有Ge和GeSn层都具有高结晶质量。
The epitaxial growth of Ge and GeSn on Si(100) is studied in the low temperature regime by reduced pressure chemical vapor deposition using showerhead technology. Most emphasis is placed on the growth kinetics in the low temperature regime of 375°C to 500°C which is characterized by surface limited reactions. Using Ge2H6 precursor low activation energy of 0.7 eV was determined for H2 carrier gas which further decreases to 0.5 eV if N2 is used. GeSn layers with 10 and 6.5 at.% Sn are obtained at growth temperatures of 375°C and 400°C respectively, using Ge2H6 and SnCl4 as precursors. All Ge and GeSn layers are of high crystalline quality.