CsLiB6O10結晶の紫外光劣化耐性に対する素子の連続移動の効果

CsLiB6O10結晶の紫外光劣化耐性に対する素子の連続移動の効果
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元件连续移动对CsLiB6O10晶体抗紫外光降解的影响

DOI:
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发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
森勇介
森勇介
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
大驛悠一;吉村政志;高橋義典;安達宏昭;森勇介

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