"Random telegraphic signals observed in atomically thin MoS2 FETs"
"Random telegraphic signals observed in atomically thin MoS2 FETs"
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“在原子级厚度的 MoS2 FET 中观察到的随机电报信号”
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Fang and K. Nagashio
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Toriumi;N. Fang and K. Nagashio
