High pressure Raman study on Ba doped silicon clathrate Ba_<24>Si_<100> up to 27 GPa
High pressure Raman study on Ba doped silicon clathrate Ba_<24>Si_<100> up to 27 GPa
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Ba 掺杂硅包合物 Ba_<24>Si_<100> 高达 27 GPa 的高压拉曼研究
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Kume et al.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H.Shimizu;T.Kume et al.
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