Energetic and the electronic structural consideration of the 13th Group element (Ga and In) impurity doping to control the conductivity of BaSi2
Energetic and the electronic structural consideration of the 13th Group element (Ga and In) impurity doping to control the conductivity of BaSi2
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第13族元素（Ga和In）杂质掺杂控制BaSi2电导率的能量和电子结构考虑
DOI：
10.1016/j.intermet.2007.03.007
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
4.4
通讯作者：
A. Watanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Imai;A. Watanabe
