Electrical properties of pertacene-based organic field-effect transistors with HfON gate insulator
Electrical properties of pertacene-based organic field-effect transistors with HfON gate insulator
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具有HfON栅极绝缘体的pertacene基有机场效应晶体管的电性能
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Liao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Sekine K;K. Tojo;M.Liao
