InGaAs channel tri-gate MOSFETs with regrown source/drain
InGaAs channel tri-gate MOSFETs with regrown source/drain
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具有再生源极/漏极的 InGaAs 通道三栅极 MOSFET
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yuichi Mishima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
角穴光;飯田守;豊岡義和;小山長規;山田誠;Yuichi Mishima
