Two-dimensional wide band-gap nitride semiconductor GaN and AlN materials: properties, fabrication and applications
Two-dimensional wide band-gap nitride semiconductor GaN and AlN materials: properties, fabrication and applications
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二维宽带隙氮化物半导体GaN和AlN材料：性能、制造和应用
DOI：
10.1039/d1tc04022g
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发表时间：
2021
影响因子：
6.4
通讯作者：
Lei Zhang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhongxin Wang;Guodong Wang;Xintong Liu;Shouzhi Wang;Tailin Wang;Shiying Zhang;Jiaoxian Yu;Gang Zhao;Lei Zhang
本文系统地综述了二维GaN和二维AlN结构、性能、制备方法及其应用的最新研究进展。
This review systematically summarizes the latest research progress in 2D GaN and 2D AlN structures, their properties, fabrication methods and applications.