Low Temperature Epitaxial Growth of Full Heusler Alloy Fe2MnSi on Ge(111) Substrates for Spintronics Application
Low Temperature Epitaxial Growth of Full Heusler Alloy Fe2MnSi on Ge(111) Substrates for Spintronics Application
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用于自旋电子学应用的 Ge(111) 基底上全 Heusler 合金 Fe2MnSi 的低温外延生长
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Miyao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Ueda;Y. Ando;K. Yamamoto;M. Kumano;K. Hamaya;T. Sadoh;K. Narumi;Y. Maeda;M. Miyao
