Formation of an AlN buffer layer by pulsed laser deposition for SiC heteroepitaxy on Sisubstrate
Formation of an AlN buffer layer by pulsed laser deposition for SiC heteroepitaxy on Sisubstrate
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通过脉冲激光沉积在 Si 衬底上进行 SiC 异质外延形成 AlN 缓冲层
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Okamoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D.Suzuki;H.Nakazawa;R.Osozawa;H.Okamoto
