原子層窒素ドーピングによるInAs量子ドットからのIn偏析制御
原子層窒素ドーピングによるInAs量子ドットからのIn偏析制御
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通过原子层氮掺杂控制 InAs 量子点的 In 偏析
DOI:
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发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
井上知也
中科院分区:
文献类型:
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作者:
K. Shirai;H. Dekura;and A. Masago;井上知也