Effects of valley polarization on electron mobility in a Silicon quantum well
Effects of valley polarization on electron mobility in a Silicon quantum well
复制标题
谷极化对硅量子阱中电子迁移率的影响
DOI：
--
复制
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
et al
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yoshitaka Niida;et al
