Alleviation of Fermi level pinning at metal/n-Ge interface with lattice-matched Si x Ge1? x ? y Sn y ternary alloy interlayer on Ge
Alleviation of Fermi level pinning at metal/n-Ge interface with lattice-matched Si x Ge1? x ? y Sn y ternary alloy interlayer on Ge
复制标题
使用晶格匹配的 Si x Ge1 减轻金属/n-Ge 界面处的费米能级钉扎？
DOI：
10.7567/jjap.57.060304
复制
发表时间：
2018
影响因子：
1.5
通讯作者：
Zaima Shigeaki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Suzuki Akihiro;Nakatsuka Osamu;Sakashita Mitsuo;Zaima Shigeaki
