K. Egusa and K. Shibahara: "Influence of High Dose Low Energy Ion Implantation on Dopant Depth Profile"Proc. Of 1998 Int. Conf. On Ion Implantation Tech. (IIT'98). (in printing). (2000)
K. Egusa and K. Shibahara: "Influence of High Dose Low Energy Ion Implantation on Dopant Depth Profile"Proc. Of 1998 Int. Conf. On Ion Implantation Tech. (IIT'98). (in printing). (2000)
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K. Egusa 和 K. Shibahara：“高剂量低能量离子注入对掺杂剂深度剖面的影响”Proc。
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