CuIn(SxSe1−x)2 films prepared by graphite box annealing of In/Cu stacked elemental layers
CuIn(SxSe1−x)2 films prepared by graphite box annealing of In/Cu stacked elemental layers
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通过 In/Cu 堆叠元素层石墨箱退火制备 CuIn(SxSe1−x)2 薄膜
DOI：
10.1016/s0042-207x(01)00156-7
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
4
通讯作者：
A. Pal
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Bandyopadhyaya;S. Roy;S. Chaudhuri;A. Pal
