Superior DC and RF Performance of AlGaN-Channel HEMT at High Temperatures
Superior DC and RF Performance of AlGaN-Channel HEMT at High Temperatures
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AlGaN 沟道 HEMT 在高温下具有卓越的直流和射频性能
DOI：
10.1587/transele.e95.c.1332
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发表时间：
2012
影响因子：
0.5
通讯作者：
Maiko Hatano
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Iwasugi;M. Mori;H. Igarashi;K. Murata;M. Saito;K. Maezawa;野坂陽一;辻田和真,山口利幸,新山茂利,今西敏 人;Maiko Hatano
