A.Hasimoto,A.Masuda 他3名: "Suppression of hexagonal GaN mixing by As_4 molecular beam in cubic GaN growth on GaAs(001) substrates"Journal of Crystal Growth. 201/202巻. 392-395 (1999)

A.Hasimoto,A.Masuda 他3名: "Suppression of hexagonal GaN mixing by As_4 molecular beam in cubic GaN growth on GaAs(001) substrates"Journal of Crystal Growth. 201/202巻. 392-395 (1999)
复制标题

A. Hasimoto、A. Masuda 和其他 3 人:“GaAs(001) 衬底上立方 GaN 生长中 As_4 分子束对六方 GaN 混合的抑制”《晶体生长杂志》第 201/202 卷(1999 年)。

DOI:
--
复制
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
--
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:

文献摘要

相似文献