Orientation-controlled growth of single-crystal silicon-nanowire arrays
Orientation-controlled growth of single-crystal silicon-nanowire arrays
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DOI：
10.1002/adma.200400474
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发表时间：
2005-01-18
影响因子：
29.4
通讯作者：
Fan, SS
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ge, SP;Jiang, KL;Fan, SS
利用气-液-固外延生长机制，可以在硅衬底上合成具有精确取向的硅纳米线阵列，这取决于衬底的晶体取向。所生长阵列的投影在硅（100）衬底上形成矩形网络（见图），在硅（110）衬底上形成平行直线，在硅（111）衬底上形成三角形网络。
Silicon nanowire arrays on silicon substrates can be synthesized with precise orientation depending on the crystal orientation of the substrate using a vapor-liquid-solid epitaxial growth mechanism. The projections of the as-grown arrays form rectangular networks on silicon (100) substrates (see Figure), parallel straight lines on silicon (110) substrates, and triangular networks on silicon (111) substrates.