Anisotropic Strain States in Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator p-type MOSFET Observed by Oil-immersion Raman Spectroscopy
Anisotropic Strain States in Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator p-type MOSFET Observed by Oil-immersion Raman Spectroscopy
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油浸拉曼光谱观察极薄体绝缘体上Ge p型MOSFET中的各向异性应变状态
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Takagi and A. Ogura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Yokogawa;C.-T. Chen;T. Kasidit;M. Takenaka;S. Takagi and A. Ogura
