Structures and stability of GaN/Ga2O3 interfaces: a first-principles study
Structures and stability of GaN/Ga2O3 interfaces: a first-principles study
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GaN/Ga2O3 界面的结构和稳定性：第一性原理研究
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Tomonori Ito
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Fumiaki Hishiki;Toru Akiyama;Takahiro Kawamura;and Tomonori Ito
