Realizing high thermoelectric performance in p-type Si1-x-yGexSny thin films at ambient temperature by Sn modulation doping
Realizing high thermoelectric performance in p-type Si1-x-yGexSny thin films at ambient temperature by Sn modulation doping
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通过Sn调制掺杂在环境温度下实现p型Si1-x-yGexSny薄膜的高热电性能
DOI：
10.1063/5.0012087
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发表时间：
2020-08
影响因子：
4
通讯作者：
Lei Miao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ying Peng;Huajun Lai;Chengyan Liu;Jie Gao;Masashi Kurosawa;Osamu Nakatsuka;Tsunehiro Takeuchi;Shigeaki Zaima;Sakae Tanemura;Lei Miao
In this study, we report a power factor (PF) value as high as 1950 μW m−1 K−2 for B-ion implanted thermoelectric Si1-x-yGexSny ternary alloy films at ambient temperature by radio frequency sputtering followed by a short-term rapid thermal annealing heat t
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