Optical anisotropies of Si grown on step-graded SiGe(110) layers
Optical anisotropies of Si grown on step-graded SiGe(110) layers
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在阶梯梯度 SiGe(110) 层上生长的 Si 的光学各向异性
DOI：
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发表时间：
2010
影响因子：
4
通讯作者：
K.Nakajima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R.E.Balderas-Navarro;L.F.Lastras-Martinez;K.Arimoto;R.Castro-Garcia;O.Villalobos-Aguilar;A.Lastras-Martinez;K.Nakagawa;K.Sawano;Y.Shiraki;N.Usami;K.Nakajima
