Damage Recovery and Dopant Diffusion in Si and Sn Ion Implanted β-Ga2O3
Damage Recovery and Dopant Diffusion in Si and Sn Ion Implanted β-Ga2O3
复制标题
Si 和 Sn 离子注入 β-Ga2O3 中的损伤恢复和掺杂扩散
DOI：
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发表时间：
2019
影响因子：
2.2
通讯作者：
A. Kuramata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Tadjer;Chaker Fares;N. Mahadik;J. Freitas;David J. Smith;Ribhu Sharma;M. Law;F. Ren;S. Pearton;A. Kuramata
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