A model of voltage gating developed using the KvAP channel crystal structure.
A model of voltage gating developed using the KvAP channel crystal structure.
复制标题
使用 KvAP 通道晶体结构开发的电压门控模型。
DOI：
10.1529/biophysj.104.040592
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发表时间：
2004
影响因子：
3.4
通讯作者：
Guy,HRobert
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shrivastava,IndiraH;Durell,StewartR;Guy,HRobert
