Operation of a 2500V 150A Si-IGBT / SiC Diode Module
Operation of a 2500V 150A Si-IGBT / SiC Diode Module
复制标题
2500V 150A Si-IGBT/SiC 二极管模块的运行
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.1423
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
C. Ovren
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Lendenmann;Nicklas Johansson;D. Mou;M. Frischholz;B. Åstrand;P. Isberg;C. Ovren
