Site modification in BiFeO3 thin films studied by Raman spectroscopy and piezoelectric force microscopy
Site modification in BiFeO3 thin films studied by Raman spectroscopy and piezoelectric force microscopy
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通过拉曼光谱和压电力显微镜研究 BiFeO3 薄膜的位点修饰
DOI：
10.1063/1.2938080
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发表时间：
2008-06
影响因子：
3.2
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
利用拉曼光谱和压电力显微镜研究了BiFeO3薄膜中的A位和B位修饰对掺杂BiFeO3薄膜结构演化和铁电行为的影响。我们的拉曼结果揭示了在BiFeO 3薄膜中的微妙的结构变化所引起的离子半径失配引起的晶格中的短程力的变化。利用压电力显微镜观察了掺杂BiFeO3薄膜的铁电畴结构，并通过电场控制了铁电畴的反转。这些掺杂的BiFeO3薄膜的压电响应说明其性质依赖于晶格对称性和膜的微观结构。
Site modification in BiFeO3 films was investigated using Raman spectroscopy and piezoelectric force microscopy to explore effect of A- and B-site modifications on structural evolution and ferroelectric behavior of doped BiFeO3 films. Our Raman results revealed the subtle structural changes in the BiFeO3 films caused by the changes of the short-range force in the crystal lattice induced by ionic radii mismatch. The observation of ferroelectric domain and the control of domain switching through an electric field in these doped BiFeO3 films were realized by piezoelectric force microscopy. Piezoelectric response of these doped BiFeO3 films illustrated dependence of their properties upon the lattice symmetry and film microstructure.
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影响因子：
3.2
作者：
G. Yuan;S. Or;H. Chan;Zu-liang Liu
通讯作者：
G. Yuan;S. Or;H. Chan;Zu-liang Liu
Tb 掺杂对 BiFeO3 薄膜电磁性能的影响
影响因子：
3.2
作者：
通讯作者：
--
DOI：
10.1107/s0108768190006887
发表时间：
1990-12-01
期刊：
ACTA CRYSTALLOGRAPHICA SECTION B-STRUCTURAL SCIENCE
影响因子：
--
作者：
KUBEL, F;SCHMID, H
通讯作者：
SCHMID, H
影响因子：
4
作者：
Singh, MK;Jang, HM;Jo, MH
通讯作者：
Jo, MH
影响因子：
3.7
作者：
BURNS, G;SCOTT, BA
通讯作者：
SCOTT, BA