JongーLam Lee,H.Kobayashi S.Tanigawa and M.Kawabe: "Reduction of dislocation density in impurity doped GaAs Grown on Si Substrate by molecular beam epitaxy" Jpn.J.Appl.Phys.29. L860-L863 (1990)
JongーLam Lee,H.Kobayashi S.Tanigawa and M.Kawabe: "Reduction of dislocation density in impurity doped GaAs Grown on Si Substrate by molecular beam epitaxy" Jpn.J.Appl.Phys.29. L860-L863 (1990)
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Jong-Lam Lee、H.Kobayashi S.Tanikawa 和 M.Kawabe：“通过分子束外延在 Si 衬底上生长的杂质掺杂 GaAs 中位错密度的降低”Jpn.J.Appl.Phys.29 (1990)。
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