塩素ガスエッチングを用いた微細MOS Elevated Source/Drainプロセス
塩素ガスエッチングを用いた微細MOS Elevated Source/Drainプロセス
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使用氯气蚀刻的精细 MOS 高架源极/漏极工艺
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
杉野林志
中科院分区：
文献类型：
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作者：
中川;根尾;青木;三村;Takuya Sakata;Hidenori Mimura;塙裕 一郎;惣田 崇志;杉野林志
