Nonvolatile-Resistance-Memory Property of SiOx-capped 3C-SiC Ultrathin Films on Si(100) Prepared by Using Monomethylsilane
Nonvolatile-Resistance-Memory Property of SiOx-capped 3C-SiC Ultrathin Films on Si(100) Prepared by Using Monomethylsilane
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甲基硅烷制备Si(100)基SiOx覆盖的3C-SiC超薄膜的非易失性电阻记忆性能
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
末光眞希
中科院分区：
文献类型：
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作者：
ローランドバンタクロ;山口祐一郎;齋藤英司;半田浩之;宮本優;鈴木康;須田良幸;末光眞希
